在线a网站,精品小视频,天天插天天狠天天透

系統的傳輸線脈沖(TLP)測試和分析功能符合ANSI/ESD STM5.5.1-2014測試標準。ES620系統能夠向器件注入高質量矩形波脈沖，同時記錄流經器件的電流和器件兩端電壓。測試結果能夠提供脈沖式IV曲線，使用戶能夠表征器件在納秒級的瞬態響應。系統還具有器件失效自動化檢測方法，例如漏電流測試，靜態IV曲線，熔斷和火花放電。

超快TLP (vf-TLP) 測試和分析功能符合ANSI/ESD SP5.5.2-2007測試標準。vf-TLP測試用于模擬CDM速度的靜電放電，捕捉高速（大約100ps上升沿）狀態下器件的電流和電壓。用戶可以通過這種方法測試器件的響應速度和峰值電壓。

人體金屬模型(HMM) 測試和分析功能符合ANSI/ESD SP5. 6-2009測試方法，該方法可替代IEC61000-4-2中系統級ESD測試方法，用于測試IC。當測試低阻抗器件或者晶圓時，系統的該測試功能可以提供符合IEC61000-4-2標準的理想波形，并且避免許多靜電放電槍測試時可能出現的問題，例如可重復性差，放電位置不對，由未屏蔽繼電器產生的EMI互擾，需要設置大接地平板和耦合板。

系統有完整的軟件控制，可定制上升沿時間和脈沖寬度，與IVI儀器有良好的兼容性，體積小。

TLP傳輸線脈沖測試系統特點：

配置靈活的TLP IV曲線脈沖測試分析系統

超便攜設計

超快測試速度，程序并行處理

目前測試版本有25A，50A和100A模塊

高質量TLP脈沖

可擴展的測試模塊包括vf-TLP，HMM，HBM和低壓浪涌

自動化故障檢測方法包括：DC抽查 (電壓或電流)，靜態IV，熔融，擊穿，偏置源波動以及客戶自定義

軟件控制的脈沖注入：單次，連續，IV-曲線表征

上升沿選項：60ps至 50ns(取決于模塊)

脈沖寬度選項：1ns至3200ns(取決于模塊)

TLP傳輸線脈沖測試系統應用：

晶圓級ESD測試

PCB/封裝級ESD測試

系統/電路ESD測試

安全工作區 (SOA) 測試

充電恢復時間測試

差分ESD脈沖注入

觸摸屏ITO微帶線熔斷測試

觸摸屏ITO微帶線火花放電測試

TLP注入電流脈沖符合并超過ANSI/ESD STM 5.5.1-2008標準

vf-TLP注入電流脈沖符合并超過ANSI/ESD SP5.5.2-2007標準

對于低阻抗器件，HMM的注入電流脈沖與IEC61000-4-2波形相符

規格：

ES620基于傳輸線脈沖的IV-曲線測試系統

參量	ES620-25	ES620-50	ES620-100	單位	備注
開路輸出電壓	±0.5~1250	±0.5~2500	±0.5~5000	V
50?負載時，輸出電壓	±0.25–625	±0.5~1250	±0.5~2500	V
50?負載時，小電壓步長低電壓–40V	0.01	0.01	0.02	V	帶46dB反射抑制
50?負載時，小電壓步長40V至高電壓	0.1	0.1	0.2	V	帶6dB反射抑制
輸出電壓誤差	<5%<>			%	自校準后
短路輸出電流	±0.01~25	±0.02~50	±0.04~100	A
50?負載時，輸出電流	±0.005~12.5	±0.01~25	±0.02~50	A
50?負載時，峰值功率	≥7.813	≥31.25	≥125	kW
自帶TLP上升沿時間	≤0.2	≤0.2	≤0.3	ns	ES620-25可達60ps
其他上升沿時間選項	0.06~50			ns	與模型有關，請看表2
自帶TLP脈沖寬度	100±1			ns	自定義
其他脈寬選項	1~3200	5~1000	5~1000	ns	與模型有關，請看表3
測試間隔時間	一般為0.2~2			s	與示波器，SMU和規定有關
尺寸	347X300X145			mm
重量	5	6	8	kg
I&V直接測量	I&V直接測量探頭A6213-T1 (CT-2電流探頭和1KT型電壓探頭)
可配用示波器	Tektronix，Agilent，LeCroy，Rigol的大部分型號				其他型號可根據客戶需求進行匹配支持
可配用SMU	Keithley 24xx/26xx系列SMU				其他型號可根據客戶需求進行匹配支持

ES620-HMM1擴展的人體金屬模型模塊(DUT為短路，100?HMM，基于ANSI/ESD SP5.6-2009標準)

參數	ES620-25	ES620-50	ES620-100	單位	備注
HMM峰值電流	22.5	45	90	A	每千伏3.75A≤±10% IEC 61000-4-2 (R=330?，C=150pF)
30ns時的HMM 電流	12	24	48	A	≤±10% (優于IEC的±30% )
60ns時的HMM 電流	6	12	24	A	≤±10% (優于IEC的±30% )